Hallo zusammen, Ein Open Drain Ausgang ist erstmal ein Konstrukt, das nur gegen GND aktiv ziehen kann, dann, wenn der Transistor eingeschaltet ist. Ist er aus, so wird der Ausgang über einen mehr oder minder starken Pull-Up auf VDD gezogen. Starker Pull-up = kleiner Widerstand und andersherum. Beim Herunterziehen auf GND werden zuerst etwaige Kapazitäten am Ausgang über den MOSFET transient entladen, danach fließt ein konstanter Strom, definiert über den Pull-Up Widerstand, ebenfalls durch den MOSFET. Beim Ausschalten des MOSFET wird der Ausgang wieder (Zeitverhalten je nach Größe des Widerstandes und der Kapazität) über den Pull-up Zweig geladen, es fließt noch kurz Strom, nach dem Aufladen der Ausgangskapazität dann nix mehr (es sei denn, der Ausgang zieht dauerhaft Strom, das sei hier mal nicht angenommen). Diese Erläuterung ist soweit korrekt? Insgesamt wirft das dann ein paar Fragen auf: 1. Ist die Kapazität am Ausgang groß genug, kann beim Ziehen auf GND durchaus ein größerer Strom durch den MOSFET und seinen RdsOn fließen als im statischen Fall und damit potenziell den MOSFET zerstören, korrekt? 2. Je kleiner der PU-Widerstand wird, desto mehr Strom fließt von VDD Richtung GND beim Einschalten des MOSFETs. Und zwar durch den MOSFET. Wird der PU zu 0 Ohm, so hat man quasi einen Kurzschluss zwischen VDD und GND, lediglich begrenzt durch RdsOn und zerstört damit potenziell den MOSFET, korrekt? 3. Empfiehlt also ein Hersteller, dass ein µC GPIO nicht mehr als z.B. 20 mA senken kann, bedeutet das, dass der RdsOn des GPIO MOSFETS bei 3.3 V dann 3.3 V/20 mA = 165 Ohm beträgt? Oder bedeutet es, dass man aufpassen muss, auf jeden Fall den Strom durch einen externen Widerstand so zu begrenzen, das maximal 20 mA fließen können? Woher kommt dann die Strombegrenzung? 4. Wenn 2. stimmt, wieso könnte dann ein Hersteller empfohlen haben, nicht benutzte I2C Pinne eines Sensors auf VDD, anstatt auf GND zu legen, obwohl dann Kurzschlussgefahr besteht? Die Argumentation war sogar, dass dadurch Strom gespart werden könnte. Warum? 5. Starke vs schwache Pull-Ups: wo ist der Break-even? Sobald der MOSFET es nicht mehr schafft, genug Strom Richtung GND zu ziehen (?), und somit der Pegel immer high bleibt? 6. Dass ein GPIO einen Strom treiben oder senken kann und dieser "aus dem µC" kommt ist ja dann eigentlich eine falsche Vorstellung. Es kann nur viel Strom gegen GND abgeleitet werden (im OD Falle) oder halt zusätzlich aus VDD "entnommen" werden (Push-Pull Ausgang). In beiden Fällen fließt der Strom durch einen MOSFET und der maximale Strom ist nur begrenzt durch die Gründe in Frage 3. und ggf. noch von der Spannungsquelle und der GND Anbindung etc, aber das ignorieren wir mal ;) Würde mich freuen, wenn ihr hier ein paar Kommentare für mich hättet. Frage 4. war eigentlich der Grund, mich mit den Ausgangstypen an ICs zu beschäftigen (bin eigentlich Softwerker) und bin damit auf die anderen Fragen gestoßen. Danke :)
> 3. Empfiehlt also ein Hersteller, dass ein µC GPIO nicht mehr als z.B. > 20 mA senken kann, bedeutet das, dass der RdsOn des GPIO MOSFETS bei 3.3 > V dann 3.3 V/20 mA = 165 Ohm beträgt? Falsche Spannung in der Rechnung. Ein Low-Signal muss unter einer bestimmten Spannung bleiben, damit es als Low gilt (z.B. max 0.4V). Bei gegebenem RdsOn kann man dann ausrechnen, welcher maximale Strom fließen darf - wenn er höher wird, steigt die Spannung zu weit an. Zusätzlich werden die Verluste im MOSFET höher und irgendwann wird er zu heiß. Das sind die zwei Hauptpunkte, die die Strombelastbarkeit bestimmen. Analog das ganze für High. (Keine Zeit mehr - den Rest dürfen andere beantworten :-)
jojo schrieb: > Diese Erläuterung ist soweit korrekt? Wenn du "Ausgang" durch "Eingang" ersetzt, dann ja. 1) Im Prinzip ja, praktisch eher nicht. Denn Eingangskapazitäten von Mikrochips liegen üblicherweise im Bereich einstelliger pF. 2) Ja 3) Ist nicht ganz so einfach festzulegen. Erstmal muss man unterscheiden zwischen a) dem maximal zulässigen Strom, bei dem noch gültige Logikpegel zustande kommen. Überschreitest du ihn, hast du zu viel Spannungsabfall im IC. Dieser hängt erheblich von der Versorgungsspannung ab. Je höher sie ist, umso mehr Strom kann ein Ausgang liefern. b) dem maximal zulässigen Strom, bei dem das IC noch nicht kaputt geht. Da dies eine thermische Frage ist, kommt es stark darauf an, wie hoch benachbarte Sektionen auf dem Chip belastet sind. Manchmal gibt es dazu Angaben im Datenblatt. Meisten unterschieden sie nur zwischen maximalem Strom pro Pin und maximalem Strom insgesamt. Auf jeden Fall hängt die maximale Belastbarkeit sehr stark von der Kühlung ab. > Woher kommt dann die Strombegrenzung? Die Spannung zwischen Gate und Source bestimmt, wie viel Strom der MOSFET fließen lässt. Das Ganze hängt vom Modell, Materialstreuungen, und Temperatur ab. Siehe http://stefanfrings.de/transistoren/index.html#steuerspannung 4) Beim I²C Bus ist HIGH der Ruhepegel und die Pins aller Busteilnehmer sind Eingänge. Der Master sendet nur dann etwas, wenn du es ihm per Programm befiehlst. Und die Slaves antworten nur dann, wenn sie vom Master dazu befohlen wurden. Wenn du die beiden Leitungen ständig auf LOW ziehen würdest, würde ständig Strom durch die Pull-Up Widerstande des Busses fließen, falls vorhanden. 5) Du findest in jedem Datenblatt von Digitalen Mikrochips klare Angaben, welche Spannungen für HIGH und LOW gültig sind. Wenn du Ausgänge zu stark belastet fällt in den Transistoren im IC zu viel Spannung ab, so dass die Pegel ungültig werden.
jojo schrieb: > Ein Open Drain Ausgang ist erstmal ein Konstrukt, das nur gegen GND > aktiv ziehen kann, dann, wenn der Transistor eingeschaltet ist. Ist er > aus, so wird der Ausgang über einen mehr oder minder starken Pull-Up auf > VDD gezogen. Kann auf Vcc gezogen werden. Der Pullup ist optional und idR. extern anzubringen. Wenn er intern ist, muß er zumindest eingeschaltet werden. Allerdings kann ein open-drain (bzw. open-collector) Ausgang auch mit einem p-FET (bzw. pnp) gegen Vcc realisiert sein. Im Automatisierungs- techniker-Slang heißt das dann pnp-Ausgang (im Gegensatz zu npn-Ausgang). > Beim Ausschalten des MOSFET wird der Ausgang wieder (Zeitverhalten je > nach Größe des Widerstandes und der Kapazität) über den Pull-up Zweig > geladen, es fließt noch kurz Strom, nach dem Aufladen der > Ausgangskapazität dann nix mehr > Diese Erläuterung ist soweit korrekt? Im wesentlichen ja. > Insgesamt wirft das dann ein paar Fragen auf: > > 1. Ist die Kapazität am Ausgang groß genug, kann beim Ziehen auf GND > durchaus ein größerer Strom durch den MOSFET und seinen RdsOn fließen > als im statischen Fall und damit potenziell den MOSFET zerstören, > korrekt? Selten. Bzw. nur bei unrealistisch großer Kapazität. Der R_ds_on eines integrierten FET ist recht hoch. Z.B. für die AVR µC in der Größenordnung von 30Ω bei 5V Versorgung. Bei 3.3V eher 50Ω. > 2. Je kleiner der PU-Widerstand wird, desto mehr Strom fließt von VDD > Richtung GND beim Einschalten des MOSFETs. Und zwar durch den MOSFET. > Wird der PU zu 0 Ohm, so hat man quasi einen Kurzschluss Ein Pullup von 0Ω ist nicht mal mehr ein Schaltungsfehler. So etwas macht man genauso wenig wie einen mehrere 100µF großen Kondensator an einen open-drain Ausgang zu schalten. > 3. Empfiehlt also ein Hersteller, dass ein µC GPIO nicht mehr als z.B. > 20 mA senken kann, bedeutet das, dass der RdsOn des GPIO MOSFETS bei 3.3 > V dann 3.3 V/20 mA = 165 Ohm beträgt? Nein. > Oder bedeutet es, dass man > aufpassen muss, auf jeden Fall den Strom durch einen externen Widerstand > so zu begrenzen, das maximal 20 mA fließen können? Auch nicht. Es ist ein thermisches Limit. I_out² × R_ds_on ergibt die Verlustleistung im MOSFET. Und die ist begrenzt. Allerdings gilt der Wert im Datenblatt für Dauerstrom. Kurzfristig kann (muß) man das Limit überziehen. Und wenn es nur ein Ausgang ist (und nicht etwa 8) dann kann man kurzfristig (also für ein paar µs, nicht Sekunden!) auch deutlich mehr Strom ziehen. Man beachte auch, bei welchen Bedingungen der maximale Strom genannt ist. Oft geht es um den maximal entnehmbaren Strom, bei dem noch korrekte Logikpegel erreicht werden. (Warum "muß" man das Limit überziehen? Jeder Pin einen Bauteils hat eine parasitäre Kapazität, sogar wenn nichts angeschlossen ist. Wenn der Pin von H auf L wechselt, fließt kurzzeitig ein Strom, der nur durch R_ds_on begrenzt wird.) > 4. Wenn 2. stimmt, wieso könnte dann ein Hersteller empfohlen haben, > nicht benutzte I2C Pinne eines Sensors auf VDD, anstatt auf GND zu > legen, obwohl dann Kurzschlussgefahr besteht? Ein I²C Slave hat beide Bus-Leitungen hochohmig, bis er eine Busaktivität erkennt, die seine Adresse enthält. Was bei ungenutzten Pins nicht passieren wird. Man kann die Pins also auf Vcc legen. Strom wird man damit allerdings nicht sparen. > 5. Starke vs schwache Pull-Ups: wo ist der Break-even? Die wahre Begrenzung ist durch die (parasitäre) Kapazität an der Leitung. Die bildet mit dem Pullup einen Tiefpaß und verzögert, verzerrt und dämpft das Nutzsignal. Man macht den Pullup niederohmig genug, daß es noch klappt. Und nicht niederohmiger. > 6. Dass ein GPIO einen Strom treiben oder senken kann und dieser "aus > dem µC" kommt ist ja dann eigentlich eine falsche Vorstellung. Ist es nicht. GND und Vcc des µC-Chips sind auch über Bonddrähte angeschlossen. Die sind dünn und haben auch einen gewissen Widerstand. Deswegen gibt es auch ein Limit für den gesamten aus den Ausgängen des µC gelieferten bwz. gesinkten Strom.
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Hallo zusammen, erstmal vielen Dank für die aufschlussreichen Antworten. Ich gehe auf einzelne Aspekte jetzt mal ein, denke viele meiner Fragen haben sich aber im Grunde schon gelöst :) Axel S. schrieb: >> 6. Dass ein GPIO einen Strom treiben oder senken kann und dieser "aus >> dem µC" kommt ist ja dann eigentlich eine falsche Vorstellung. > > Ist es nicht. GND und Vcc des µC-Chips sind auch über Bonddrähte > angeschlossen. Die sind dünn und haben auch einen gewissen Widerstand. > Deswegen gibt es auch ein Limit für den gesamten aus den Ausgängen des > µC gelieferten bwz. gesinkten Strom. Im Falle eines OD-Ausgangs sind doch GND und VCC extern (wenn nicht ein interner PU verwendet wird) und somit ist der Maximalstrom doch rein von der Niederohmigkeit der VCC-Quelle und etwaigen (von mir aus komplexen, inkl. Rdson) Widerständen auf dem Weg nach GND begrenzt, oder? Bei anderen Ausgangstypen gilt das dann u.U. nicht mehr. Axel S. schrieb: > Ein I²C Slave hat beide Bus-Leitungen hochohmig, bis er eine > Busaktivität erkennt, die seine Adresse enthält. Was bei ungenutzten > Pins nicht passieren wird. und Stefan F. schrieb: > 4) Beim I²C Bus ist HIGH der Ruhepegel und die Pins aller Busteilnehmer > sind Eingänge. Der Master sendet nur dann etwas, wenn du es ihm per > Programm befiehlst. Und die Slaves antworten nur dann, wenn sie vom > Master dazu befohlen wurden. Ich denke, der Punkt ist, dass die Pinne tatsächlich nicht auf low gehen, solange man dem Sensor nichts über den Bus schickt, da wäre ich nicht 100% von ausgegangen, dass dies auch bei Power-Up des Sensors garantiert ist. Aber muss es, sonst hätte man den zuvor erwähnten (nahezu-) Kurzschluss zwischen VCC und GND und ein entsprechender Strom würde fließen, der evtl den MOSFET zerstört, richtig? > Man kann die Pins also auf Vcc legen. Strom > wird man damit allerdings nicht sparen. Genau das behauptet aber der Hersteller, siehe angehängtes Bild. Und es wurde uns von einem FAE kürzlich nochmal bestätigt. Woran könnte das liegen? Danke euch!
> Genau das behauptet aber der Hersteller, siehe angehängtes Bild.
SCx/SDx (Pin 2 und 3) sind nicht die I²C-Leitungen! Im Mode 1 sind die
unbenutzt, dürfen aber nicht floaten. Die I²C-Leitungen sind SCL/SDA
(Pin 13 und 14).
jojo schrieb: > 1. Theoretisch. Je nach Ansteuerspannung begrenzen die MOSFETs aber von selbst den durchfliessenden Strom (Abschnüreffekt). > 2. Ja. > Empfiehlt also ein Hersteller, dass ein µC GPIO nicht mehr als z.B. 20 > mA senken kann, bedeutet das, dass der RdsOn des GPIO MOSFETS bei 3.3 V > dann 3.3 V/20 mA = 165 Ohm beträgt? Nein. Normal sagt man, bei 20mA ist die Spannung immer noch unter 0.8V, also 40 Ohm max. > Oder bedeutet es, dass man aufpassen > muss, auf jeden Fall den Strom durch einen externen Widerstand so zu > begrenzen, das maximal 20 mA fließen können? Ja. > Woher kommt dann die > Strombegrenzung? Von dir. > Wenn 2. stimmt, wieso könnte dann ein Hersteller empfohlen haben, nicht > benutzte I2C Pinne eines Sensors auf VDD, anstatt auf GND zu legen, > obwohl dann Kurzschlussgefahr besteht? Die Argumentation war sogar, dass > dadurch Strom gespart werden könnte. Warum? Kein Strom durch pull ups, und so lange das IC nicht sendet, sondern die Pins nur als Eingang arbeiten, ok. > Starke vs schwache Pull-Ups: wo ist der Break-even? Sobald der MOSFET es > nicht mehr schafft, genug Strom Richtung GND zu ziehen (?), und somit > der Pegel immer high bleibt? Das war dann zu viel. Normalerweise nimmt man 'ausreichend' und das bestimmt sich durch die benötigte Schaltgeschwindigkeit (Umladung Kapazität am Ausgang) durch den pull up. Je schneller es sein muss, je niederohmiger, je leistungsfressender, und wenn low nicht mehr unter 0.8V kommt, wird der Zustand nur noch unzureichend erkannt, also Fehlverhalten. > Dass ein GPIO einen Strom treiben oder senken kann und dieser "aus dem > µC" kommt ist ja dann eigentlich eine falsche Vorstellung. Es kann nur > viel Strom gegen GND abgeleitet werden (im OD Falle) oder halt > zusätzlich aus VDD "entnommen" werden (Push-Pull Ausgang). In beiden > Fällen fließt der Strom durch einen MOSFET und der maximale Strom ist > nur begrenzt durch die Gründe in Frage 3. und ggf. noch von der > Spannungsquelle und der GND Anbindung etc, aber das ignorieren wir mal > ;) Na ja. Ein GPIO Ausgang der garantiert 20mA schafft und dabei immer noch unter 0.8V für low bzw. ausreichend für high bleibt, wird irgendwo (je nach Exemplar, Temperatur, Betriebsspannung) bei 40mA abschnüren, also von selbst den Strom begrenzen.
jojo schrieb: > > Axel S. schrieb: >>> 6. Dass ein GPIO einen Strom treiben oder senken kann und dieser "aus >>> dem µC" kommt ist ja dann eigentlich eine falsche Vorstellung. >> >> Ist es nicht. GND und Vcc des µC-Chips sind auch über Bonddrähte >> angeschlossen. Die sind dünn und haben auch einen gewissen Widerstand. >> Deswegen gibt es auch ein Limit für den gesamten aus den Ausgängen des >> µC gelieferten bwz. gesinkten Strom. > > Im Falle eines OD-Ausgangs sind doch GND und VCC extern Bahnhof. GND und Vcc sind immer extern. > somit ist der Maximalstrom doch rein von > der Niederohmigkeit der VCC-Quelle und etwaigen > Widerständen auf dem Weg nach GND begrenzt, oder? Ja. Und vom open-drain Ausgang geht der Strompfad zwingend über den GND-Bonddraht des Halbleiterchips (und natürlich auch über den n-FET und die Metallisierungslage). >> Man kann die Pins also auf Vcc legen. Strom >> wird man damit allerdings nicht sparen. > > Genau das behauptet aber der Hersteller, siehe angehängtes Bild. Nein. Natürlich nicht. Er sagt, daß die Pins nicht floaten dürfen. Genutzte ebenso wie ungenutzte I²C Pins kriegen aber einen externen Pullup. Dadurch floaten sie nicht.
foobar schrieb: >> Genau das behauptet aber der Hersteller, siehe angehängtes Bild. > > SCx/SDx (Pin 2 und 3) sind nicht die I²C-Leitungen! Im Mode 1 sind die > unbenutzt, dürfen aber nicht floaten. Die I²C-Leitungen sind SCL/SDA > (Pin 13 und 14). Doch, die beiden Pinne sind auch I2C Leitungen. Zum Anschluss weiterer Sensoren über I2C, wobei der Sensor dann die Rolle des Masters übernimmt. Und sie dürfen nicht floaten, das stimmt. In dem nächsten Satz unter dem Markierten wird aber empfohlen, die Pinne aus Gründen der power consumption an VDD zu heften. Dennoch ein guter Hinweis, dass dies nicht die primären I2C Pinne sind Michael B. schrieb: > Viel Erklärung Danke dir, das passt mit meiner Vorstellung zusammen :) Axel S. schrieb: > Bahnhof. GND und Vcc sind immer extern. Extern im Sinne von "außerhalb des packages" angeschlossen, also via VDD Plane über einen Pullup Widerstand durch den MOSFET richtung GND Plane. Aber du hast natürlich Recht, der Strom fließt durch die Bond Drähte. Axel S. schrieb: > Nein. Natürlich nicht. Er sagt, daß die Pins nicht floaten dürfen. > Genutzte ebenso wie ungenutzte I²C Pins kriegen aber einen externen > Pullup. Dadurch floaten sie nicht. Doch. Lies nochmal den Text. Er sagt, dass sie nicht floaten dürfen, vollkommen korrekt. Empfiehlt dann aber, die Pinne auf VDD zu legen. Danke euch!
jojo schrieb: > > Axel S. schrieb: >> Nein. Natürlich nicht. Er sagt, daß die Pins nicht floaten dürfen. >> Genutzte ebenso wie ungenutzte I²C Pins kriegen aber einen externen >> Pullup. Dadurch floaten sie nicht. > > Doch. Lies nochmal den Text. Er sagt, dass sie nicht floaten dürfen, > vollkommen korrekt. Empfiehlt dann aber, die Pinne auf VDD zu legen. Sinnentnehmendes Lesen ist nicht deine Stärke. Wichtig ist, daß die Pins nicht floaten. Ob direkt an Vcc (geht natürlich nur bei ungenutzten Pins) oder über Pullup an Vcc ist vollkommen egal und macht in der Stromaufnahme keinen Unterschied.
Nicht floaten heißt genauso gut, dass sie auf GND gelegt werden könne, steht auch so im Datenblatt - es geht beides. Als Beispiel: https://www.st.com/resource/en/datasheet/lsm6dsl.pdf Seite 44. Hier in der Diskussion geht es lediglich noch darum, ob Strom gespart werden kann, wenn die Pinne (egal ob mit oder ohne Pullup Widerstand) an VCC gelegt werden. Du sagtest das: Axel S. schrieb: > Man kann die Pins also auf Vcc legen. Strom > wird man damit allerdings nicht sparen. Und der Hersteller sagt: doch, kann man. Und ich frage mich, warum. Ist das rein durch den OD Ein-/Ausgang erklärbar, oder hat das einfach interne Gründe beim Power-up des Sensors, die wir nicht wissen können? Hintergrund ist, dass der Sensor tatsächlich bei Power-up mehr als 25 mA über einen Zeitraum von ca. 2 ms zieht, was die Versorgung einbrechen lässt. Bevor ich dieses Problem ansprechen wollte, musste ich aber erstmal die OD Verständnisprobleme klären.
jojo schrieb: > Hier in der Diskussion geht es lediglich noch darum, ob Strom gespart > werden kann, wenn die Pinne (egal ob mit oder ohne Pullup Widerstand) an > VCC gelegt werden. Eines vorneweg: die Mehrzahl von Pin ist Pins. Eine Pinne wird anderweitig verwendet: https://de.wikipedia.org/wiki/Pinne > hat das einfach interne Gründe beim Power-up des Sensors, die wir nicht > wissen können? Genau das ist es. Allein der Hersteller weiß das, weil nur der den Aufbau seines eigenen Pintreibers und dessen Abbild im Silizium ganz genau kennt. Der zweite Grund ist der, dass man bei manchen Pins per Software einen Pullup aktivieren kann. Wenn man das nun (fehlerhafterweise) tut oder bei den Pins 10 und 11 vergisst, den Pullup auszuschalten und die Pins an GND angeschlossen hat, dann fließt unnötig Strom. Aus diesem Grund ist es sinnvoll, die Hinweise im Datenblatt zu beachten. > dass der Sensor tatsächlich bei Power-up mehr als 25 mA über einen > Zeitraum von ca. 2 ms zieht In welcher Schaltung? "Zieht" allein der Sensor an sich diesen Strom oder ist da noch eine Zusatzbeschaltung mit dabei, die beim "Ziehen" mitwirkt?
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jojo schrieb: > (bin eigentlich Softwerker) Ja, das merkt man. Wie z.B. kommst du auf den Hochzieh-Widerstand? Natürlich kann man sowas vorsehen, aber es hat mit dem eigentlichen Ausgang (offener Kollektor) nichts zu tun. Und das Überlasten eines Ausgangs (egal ob OC oder nicht) durch einen Kondensator ist ein fast alltägliches Ärgernis, gerade beim Ansteuern eines FETs ohne einen geeigneten Gate-Treiber. Dabei sind deine Annahmen alle nicht richtig. Man kann mit sowas den treibenden Ausgang kaputt kriegen, einem nachgeschalteten FET macht das dabei nix aus. Der hat halt seine Kapazität zwischen Gate und Source - vom Miller-Effekt über die Gate-Drain Kapazität wollen wir hier erstmal nicht viel reden. Die sorgt allerdings dafür, daß die Spannung zwischen Drain und Source länger als bei korrektem Treiben des Gates im verbotenen Bereich (außerhalb vom SOA) verbleibt und damit der FET aufgeheizt wird. Das hat mit dem Rdson nix zu tun, der FET ist da längst raus und irgendwo zwischen Ein- und Ausgeschaltet. W.S.
Lothar M. schrieb: > Eines vorneweg: die Mehrzahl von Pin ist Pins. > Eine Pinne wird anderweitig verwendet: > https://de.wikipedia.org/wiki/Pinne Thx :) Lothar M. schrieb: > Genau das ist es. Allein der Hersteller weiß das, weil nur der den > Aufbau seines eigenen Pintreibers und dessen Abbild im Silizium ganz > genau kennt. > > Der zweite Grund ist der, dass man bei manchen Pins per Software einen > Pullup aktivieren kann. Wenn man das nun (fehlerhafterweise) tut oder > bei den Pins 10 und 11 vergisst, den Pullup auszuschalten und die Pins > an GND angeschlossen hat, dann fließt unnötig Strom. > Gute Hinweise, danke. > Aus diesem Grund ist es sinnvoll, die Hinweise im Datenblatt zu > beachten. Das ist sowieso sinnvoll und wir machen das auch wo immer es angegeben ist. In dem konkreten Fall steht dort aber, dass die Pins auf VCC oder GND gelegt werden dürfen (ein PU ist nicht in der schematic eingezeichnet, tut aber natürlich auch nicht weh). Wir sind erst durch die Aussage eines FAEs darauf hingewiesen worden, dass wir die Pins an VCC hängen sollen und nicht nach GND, eben um während des Power Ups Strom zu sparen. Das steht nicht im Datenblatt des konkret verwendeten Sensors, wohl aber in einem Datenblatt eines ähnlichen Sensors, wie wir später fanden. Lothar M. schrieb: >> dass der Sensor tatsächlich bei Power-up mehr als 25 mA über einen >> Zeitraum von ca. 2 ms zieht > In welcher Schaltung? "Zieht" allein der Sensor an sich diesen Strom > oder ist da noch eine Zusatzbeschaltung mit dabei, die beim "Ziehen" > mitwirkt? Darf ich leider nicht zeigen und war eigentlich auch nicht Sinn des Threads hier. Es ist aber der Sensor selbst und es passiert bei einer bestimmten Einschaltreihenfolge der zwei (VDD und VDD_IO) Versorgungspins; da sind wir aber mit dem Support in Diskussion. In diesem Zusammenhang ist jedoch herausgekommen, dass eben empfohlen wird, die Pins im Layout auf VCC zu ziehen. W.S. schrieb: > Ja, das merkt man. Wie z.B. kommst du auf den Hochzieh-Widerstand? Weil die in Kombination mit OD Ein-/Ausgängen häufig auftauchen und ich auch davon ausging, dass die SDx Pins (die ich ja mit den regulären I2C Anschlüssen verwechselt habe) eben OD sind. Und ich fragte mich, ob man die überhaupt direkt an VCC anschließen darf und was dann passiert. Eben jene Fragen wurden hier beantwortet. > Natürlich kann man sowas vorsehen, aber es hat mit dem eigentlichen > Ausgang (offener Kollektor) nichts zu tun. Und das Überlasten eines > Ausgangs (egal ob OC oder nicht) durch einen Kondensator ist ein fast > alltägliches Ärgernis, gerade beim Ansteuern eines FETs ohne einen > geeigneten Gate-Treiber. > > Dabei sind deine Annahmen alle nicht richtig. Schade, wurden oben aber bestätigt. Was ist falsch? > Man kann mit sowas den treibenden Ausgang kaputt kriegen, einem > nachgeschalteten FET macht das dabei nix aus. Die zu treibende Kapazität war ein Beispiel, um mir transiente Effekte zu veranschaulichen. Einen weiteren FET am Ausgang gibt es nicht, ich sprach oben einzig und alleine von dem in den µC integrierten FET des Ausgangspins. Danke euch.
Der Vollständigkeit halber:
Haben gerade vom Support nochmal folgendes bekommen:
> For a very short period during boot sequence, the SCx and SDx lines behave like
low impedance keeping high level and eventually causing a rush current if not
connected to VDD_IO.
Grandios. Genau das tut er, und zwar für 1 ms, was ausreicht, damit
unsere Spannungsversorgung einknickt. Hat dann aber nix mit OD ja/nein
zu tun, sondern einfach, wie der Sensor seine Pins bei Powerup
konfiguriert und diese zwischendurch dann mal kurz zum niederohmigen
Ausgang werden, korrekt?
jojo schrieb: > ich > sprach oben einzig und alleine von dem in den µC integrierten FET des > Ausgangspins. Dann ist das Ganze ein Mißverständnis. Du meintest also die ganze Zeit über nicht einen anzusteuernden Transistor, sondern die Ausgangsstufe deines Chips. Nun ja, die kann man durch zu hohe Strombelastung kaputt kriegen. Hängt aber vom konkreten Chip ab und manche haben einstell- oder auswählbare Ausgangsstufen, die dann den Strom selber begrenzen. W.S.
Jo genau. Schön, dass wir das aus dem Weg geräumt haben. War offenbar oben nicht ausreichend genau erklärt.
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